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内存标识大全

最近想升级内存,所以把内存知识认真看了一遍。

IBM内存大多由其它专业内存厂代工,但标准由IBM 定制,所有被认证的内存条上除了原厂LOGO 还有IBM FRU.

可以说有IBM FRU 的内存就代表高品质,一些标识PC 66MHZ板载内存能顺利超频到100MHZ,因为有的内存芯片本身就是采用100MHZ颗粒,不过降频使用.从这点上不难看出IBM 机器为何价格昂贵.



IBM订购的内存有以下几个品牌:

英文名:MICRON; 中文名:美光 :MT;

英文名:Infineon;中文名:英飞凌 简称:英飞凌;

英文名:HYNIX 中文名:现代 简称:HY;

英文名:PROMOS; 中文名: 简称:PROMOS;

英文名:NANYA; 中文名:南亚 简称:NANYA;

英文名:ELPIDA; 中文名:尔必达 简称:尔必达;

英文名:SAMSUNG; 中文名:三 星 简称:三星;

以下是找到关于内存芯片的数据资料,大家可以对照看看自己本本用的是否为100MHZ的芯片

三星(Samsung)SDRAM内存

第1字段由K,km组成,代表三星产品。

第2字段由4组成,代表DRAM。

第3字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位,32 32bit 。

第4字段代表内存种类,S代表SDRAM。

第5字段代表密度,1代表1M;2代表2M;4代表4M;8代表8M;16代表16M。

第6字段代表刷新,0代表4K;1代表2K;2代表8K。

第7字段代表芯片组成,2代表2Bank;3代表4Bank。

第8字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL。

第9字段代表版本号,空白代表第1版;A代表第2版;B代表第3版。

第10字段代表封装方式,T代表TSOP Ⅱ(RPPmil)。

第11字段代表功耗,G代表自动调节,F代表自动调节低功耗。

第12字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz);8代表8ns(125MHz);10代表10ns(100MHz);H代表100MHz@CL=2;L代表100MHz@CL=3。


内存颗粒编号的识别之-日立
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第1字段由HM组成,代表日立产品。

第2字段代表内存种类,51代表EDO;52代表SDRAM;54代表DDR SDRAM。

第3字段代表密度,64代表64MB;12代表128MB;25代表256MB;51代表512MB。

第4字段代表结构,405代表x4;805代表x8;165代表x16;325代表x32。

第5字段代表芯片修正版本,A代表A修正版;B代表B修正版;C代表C修正版。

第6字段代表封装方式,TT代表TSOP;TD代表DDP(Double-DensityPackage)。

第7字段代表内存的速度,A60代表10ns(100MHz@CL为2&3);B60代表10ns(100MHz@CL=3);75代表7.5ns(133MHz);80代表8ns(125MHz)。


内存颗粒编号的识别之-英飞凌(Infineon)
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第1字段由HYB组成,代表西门子产品。

第2字段代表内存的种类,39S代表SDRAM。

第3字段代表内存的容量。

第4字段代表数据带宽,40代表4位;80代表8位;16代表16位。

第5字段代表的意义不详,一般为0。

第6字段代表产品系列。

第7字段代表封装方式,T代表TSOP封装。

第8字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。

第9字段代表内存的速度,6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz@CL=2);8B代表10ns(100MHz@CL=3);10代表10ns(100MHz)。


内存颗粒编号的识别之-富士通(FUJITSU)SDRAM内存
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第1字段由MB81组成,代表富士通的SDRAM产品。

第2字段代表内存的种类,F代表PC100;1代表普通内存。

第3字段代表容量。

第4字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。

第5字段代表芯片的组成,22代表2BANK;42代表4BANK。

第6字段代表产品系列。

第7字段代表内存的速度,60代表6ns;70代表7ns;80代表8ns;102代表10ns(CL=2或3);103代表10ns(CL=3);100代表10ns;84代表12ns;67代表15ns。


内存颗粒编号的识别之-东芝(TOSHIBA)SDRAM内存
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第1字段由TC组成,代表东芝产品。

第2字段代表内存种类,59S代表SDRAM。

第3字段代表容量,64代表64MB;128代表128MB。

第4字段代表数据带宽,04代表4位;08代表8位;16代表16位;32代表32位。

第5字段代表产品系列,比较常见的有A系列和B系列产品。

第6字段代表封装方式,FT代表TSOP。

第7字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。

第8字段代表内存的速度,60代表6ns;70代表7ns;80代表8ns;102代表10ns(CL=2或3);103代表10ns(CL=3);100代表10ns;84代表12ns;67代表15ns。



内存颗粒编号的识别之-三菱(MITSUBISHI)SDRAM
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第1字段由M2组成,代表三菱产品。

第2字段由代表I/O界面,一个字符组成,一般为V。

第3字段代表容量,如16代表16MB。

第4字段代表内存类型,S代表SDRAM。

第5字段代表数据带宽,2代表4位;3代表8位;4代表16位。

第6字段代表意义不详,一般为0。

第7字段代表产品系列。

第8字段代表封装类型,TP代表TSOP封装。

第9字段代表内存的速度,8A代表8ns;7代表10ns(CL=2或3);8代表10ns(CL=3);10代表10ns。

第10字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。


内存颗粒编号的识别之-LGs SDRAM内存
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第1字段由GM组成,代表LGs公司的产品。

第2字段代表产品类型,72代表SDRAM。

第3字段代表电压,V代表3V。

第4字段代表内存单位容量和刷新单位,16代表16M(4K刷新);17代表16M(2K刷新);28代表128M(4K刷新);64代表64M(16K刷新);65代表64M(8K刷新);66代表64M(4K刷新)。

第5字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。

第6字段代表芯片组成,1代表1BANK;2代表2BANK;4代表4BANK;8代表8BANK。

第7字段代表电气接口,1代表LVTTL。

第8字段代表芯片的修正版本,A代表第1版;B代表第2版,依此类推。

第9字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。

第10字段代表封装方式,T代表TSOP;R代表TSOPⅡ;I代表BLP;S代表STACK。

第11字段代表内存的速度,6代表6ns(166MHz);65代表6.5ns(153MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz);7K代表10ns(PC100 @222);7J代表10ns(PC100@322);10K代表10ns(PC66);10J代表10ns(PC66);12代表12ns(83MHz);15代表15ns(66MHz)。



内存颗粒编号的识别之-现代(Hyundai)
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1.SDRAM内存(老版本)

第1字段由HY组成,代表现代产品。

第2字段代表产品类型,57代表DRAM;5D代表DDR SDRAM。

第3字段代表电压,V代表3.3V;U代表2.5V。

第4字段代表密度和刷新,4代表4MB(1K刷新);16代表16M(4K刷新);64代表64M(8K刷新);65代表64M(4K刷新);128代表128M(8K刷新);129代表128M(4K刷新);257代表256MB(8K刷新)。

第5字段代表数据带宽,40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。

第6字段代表芯片组成,1代表2BANK;2代表4BANK。

第7字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL;2代表SSTL2。

第8字段代表芯片修正版本;空白代表第1版,A代表第2版;B代表第3版;C代表第4版;D代表第5版。

第9字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。

第10字段代表封装方式;JC代表400mil SOJ;TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ;TQ代表100Pin TQFPI。

第11字段代表内存的速度,5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz);10P代表10ns(100MHz@CL=2或3);10S代表10ns(100MHz@CL=3);10代表10ns(100MHz);12代表12ns(83MHz);15代表15ns(66MHz)。


2.SDRAM内存(新版本)

第1字段由HY组成,代表现代产品。

第2字段代表产品类型,57代表SDRAM。

第3字段代表电压,V代表3.3V。

第4字段代表密度和刷新,64代表64M(4K刷新);65代表64M(8K刷新);28代表128M(4K刷新);56代表256M(8K刷新)。

第5字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。

第6字段代表芯片组成,1代表2BANK;2代表4BANK。

第7字段代表意义不详,一般为0。

第8字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL_3。

第9字段代表芯片修正版本;空白或H代表第1版,A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版。

第10字段代表封装方式;T代表TSOP;Q代表TQFP;I代表BLP;L代表CSP(LF-CSP)。

第11字段代表内存的速度,5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);K代表7.5ns(PC133@CL=2);H代表7.5ns(PC133 @CL=3);8代表8ns(125MHz);P代表10ns(PC100@CL=2);S代表10ns(PC100@CL=3);10代表10ns(100MHz)。




内存颗粒编号的识别之-金邦(GeIL)SDRAM内存
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第1字段代表产品系列,GL2000代表千禧条,BLP代表金条。

第2字段由GP组成,代表金邦产品。

第3字段代表产品类型,6代表SDRAM。

第4字段代表制造工艺,C代表5V Vcc CMOS;LC代表0.2微米3.3V Vdd CMOS;V代表2.5V Vdd CMOS。

第5字段代表容量,它与第7字段相乘就是总容量。

第6字段代表容量单位,空白代表Bits;K代表KB,M代表MB,G代表GB。

第7字段代表颗粒数量。

第8字段代表芯片修正版本。

第9字段代表封装方式,DJ代表SOJ;DW代表宽型SOJ;F代表54针4行FBGA;FB代表60针8*16 FBGA;FC代表60针11*13 FBGA;FP代表反转芯片封装;FQ代表反转芯片密封;F1代表62针2行FBGA;F2代表84针2行FBGA;LF代表90针FBGA;LG代表TQFP;R1代表62针2行微型FBGA;R2代表84针2行微型FBGA;TG代表TSOP Ⅱ,U代表μ BGA。

第10字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz)。

第11字段由AMIR组成,代表内部标识号。

第12字段由四位数字组成,代表生产日期,前两个数字表示年份,如00表示2000年;后两个数字表示周数,如25表示第25周。


内存颗粒编号的识别之-美光(Micron)
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第1字段由MT组成,代表美光产品。

第2字段代表内存类型,48代表SDRAM。

第3字段代表内存种类,LC代表普通SDRAM。

第4字段代表密度,此数与M后位数相乘即为容量。

第5字段代表意义不详,一般为M。

第6字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。

第7字段代表类型,AX代表write Recovery(TWR);A2代表2clk(TWR)。

第8字段代表封装方式,TG代表TSOP II(RPPmil)。

第9字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8A代表8ns(125MHz,读取周期为333);8B代表8ns(125MHz,读取周期为323);8C代表8ns(125MHz,读取周期为322);8 D代表8ns(125MHz,读取周期为222);8E代表8ns(125MHz,读取周期为222);10代表10ns(100MHz@CL=3)。

第10字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。

介绍的还是比较详细的,楼主从哪里搞的

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楼主也不嫌累,直接从老吴这买正品THINKPAD内存就是了

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提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

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又学习了,呵呵

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楼主从哪里搞来的,不错,收藏了

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很详细的资料,收藏了。

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如果有图就更清晰了.
T61/T7300/1+1G/14.1(1400*1050)/NVS140M 128M/指纹/蓝牙/DVD刻录/6芯电池

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的确是强贴,收藏了!谢谢楼主。

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