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标题: IBM thinkpad 目前使用的原装内存汇总 [打印本页]

作者: Steven 时间: 2006-6-16 11:47 标题: IBM thinkpad 目前使用的原装内存汇总

IBM内存大多由其它专业内存厂代工,但标准由IBM 定制,所有被认证的内存条上除了原厂LOGO 还有IBM LOGO.

可以说有IBM LOGO 的内存就代表高品质,一些标识PC 66MHZ板载内存能顺利超频到100MHZ,因为有的内存芯片本身就是采用100MHZ颗粒,不过降频使用.从这点上不难看出IBM 机器为何价格昂贵,为何TP 600E P2 366 效能要超过一些品牌的P3 机器.

所以市场上IBM 认证的PC 100 128M内存也要高出别的品牌内存20-30元,目前价格在100元

IBM订购的内存有以下几个品牌：

英文名：MICRON；中文名：美光：MT；

英文名：Infineon；中文名：英飞凌简称：英飞凌；

英文名：HYNIX 中文名：现代简称：HY；

英文名：PROMOS；中文名：简称：PROMOS；

英文名：NANYA；中文名：南亚简称：NANYA；

英文名：ELPIDA；中文名：尔必达简称：尔必达；

英文名：SAMSUNG；中文名：三星简称：三星；

以下是找到关于内存芯片的数据资料,大家可以对照看看自己本本用的是否为100MHZ的芯片

三星(Samsung)SDRAM内存

M A BB C DD E F G H I – J KK

第1字段由K,km组成，代表Samsung Memory（M）（三星存储器）

第2字段 DIMM Configuration（DIMM结构）3 : DIMM 4 : SODIMM

第3字段代表Data Bit（数据位），4代表4位；8代表8位；16代表16位,32 32bit 。

第4字段代表内存种类Feature（特征） S: SDRAM

第5字段代表Depth（深度）04: 4M 08: 8M 16: 16M 32: 32M

第6字段代表Refresh, # of Banks in Comp. & Interface（刷新，Banks的结构和界面）

0 : 4K/64ms Refresh, 2 Banks & LVTTL

1 : 2K/32ms Refresh, 2 Banks & LVTTL

2 : 4K/64ms Refresh, 4 Banks & LVTTL

5 : 8K/64ms Refresh, 4 Banks & LVTTL

第7字段代表Composition Component（成分结构）

0: x4

3: x8

4: x16

5: x32

6: x16+x32

7: x4 Stack

2代表2Bank；3代表4Bank。

第8字段代表版本号，
8：Component Revision（结构修正版本）

M: 1st Gen.

A: 2nd Gen.

B: 3rd Gen

C: 4th Gen 空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版。

第9字段代表Package （封装）

T: TSOP2-400

N: STSOP2-400

G: UBGA

10：PCB Revision & Type（PCB板修正版本和类型）

0: None

1: 1st Rev

2: 2nd Rev

3: 3rd Rev

L: PC66

第11字段Power（功率）

C: Auto & Self refresh

L: Auto & Self refresh with Low power

G代表自动调节，F代表自动调节低功耗。

第12字段代表内存Speed（速度）

10: 10 ns PC66

1L: 10 ns PC100

1H: 10 ns @CL2 PC100

70: 7 ns

75: 7.5 ns

80: 8 ns7代表7ns(143MHz)；8代表8ns(125MHz)；10代表10ns(100MHz)；H代表100MHz@CL=2；L代表100MHz@CL=3。

内存颗粒编号的识别之-日立
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第1字段由HM组成，代表日立产品。

第2字段代表内存种类，51代表EDO；52代表SDRAM；54代表DDR SDRAM。

第3字段代表密度，64代表64MB；12代表128MB；25代表256MB；51代表512MB。

第4字段代表结构，405代表x4；805代表x8；165代表x16；325代表x32。

第5字段代表芯片修正版本，A代表A修正版；B代表B修正版；C代表C修正版。

第6字段代表封装方式，TT代表TSOP；TD代表DDP(Double-DensityPackage)。

第7字段代表内存的速度，A60代表10ns(100MHz@CL为2&3)；B60代表10ns(100MHz@CL=3)；75代表7.5ns(133MHz)；80代表8ns(125MHz)。

内存颗粒编号的识别之-英飞凌(Infineon)
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第1字段由HYB组成，代表西门子产品。

第2字段代表内存的种类，39S代表SDRAM。

第3字段代表内存的容量。

第4字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位。

第5字段代表的意义不详，一般为0。

第6字段代表产品系列。

第7字段代表封装方式，T代表TSOP封装。

第8字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

第9字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz@CL=2)；8B代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。

作者: Steven 时间: 2006-6-16 11:48

内存颗粒编号的识别之-富士通(FUJITSU)SDRAM内存
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第1字段由MB81组成，代表富士通的SDRAM产品。

第2字段代表内存的种类，F代表PC100；1代表普通内存。

第3字段代表容量。

第4字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。

第5字段代表芯片的组成，22代表2BANK；42代表4BANK。

第6字段代表产品系列。

第7字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。

内存颗粒编号的识别之-东芝(TOSHIBA)SDRAM内存
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第1字段由TC组成，代表东芝产品。

第2字段代表内存种类，59S代表SDRAM。

第3字段代表容量，64代表64MB；128代表128MB。

第4字段代表数据带宽，04代表4位；08代表8位；16代表16位；32代表32位。

第5字段代表产品系列，比较常见的有A系列和B系列产品。

第6字段代表封装方式，FT代表TSOP。

第7字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

第8字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。

内存颗粒编号的识别之-三菱(MITSUBISHI)SDRAM
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第1字段由M2组成，代表三菱产品。

第2字段由代表I/O界面，一个字符组成，一般为V。

第3字段代表容量，如16代表16MB。

第4字段代表内存类型，S代表SDRAM。

第5字段代表数据带宽，2代表4位；3代表8位；4代表16位。

第6字段代表意义不详，一般为0。

第7字段代表产品系列。

第8字段代表封装类型，TP代表TSOP封装。

第9字段代表内存的速度，8A代表8ns；7代表10ns(CL=2或3)；8代表10ns(CL=3)；10代表10ns。

第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

内存颗粒编号的识别之-LGs SDRAM内存
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第1字段由GM组成，代表LGs公司的产品。

第2字段代表产品类型，72代表SDRAM。

第3字段代表电压，V代表3V。

第4字段代表内存单位容量和刷新单位，16代表16M(4K刷新)；17代表16M(2K刷新)；28代表128M(4K刷新)；64代表64M(16K刷新)；65代表64M(8K刷新)；66代表64M(4K刷新)。

第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。

第6字段代表芯片组成，1代表1BANK；2代表2BANK；4代表4BANK；8代表8BANK。

第7字段代表电气接口，1代表LVTTL。

第8字段代表芯片的修正版本，A代表第1版；B代表第2版，依此类推。

第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

第10字段代表封装方式，T代表TSOP；R代表TSOPⅡ；I代表BLP；S代表STACK。

第11字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；65代表6.5ns(153MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；7K代表10ns(PC100 @222)；7J代表10ns(PC100@322)；10K代表10ns(PC66)；10J代表10ns(PC66)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。

内存颗粒编号的识别之-现代(Hyundai)
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1.SDRAM内存(老版本)

第1字段由HY组成，代表现代产品。

第2字段代表产品类型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。

第3字段代表电压，V代表3.3V；U代表2.5V。

第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。

第5字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。

第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。

第7字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。

第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。

第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。

第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。

2.SDRAM内存(新版本)

第1字段由HY组成，代表现代产品。

第2字段代表产品类型，57代表SDRAM。

第3字段代表电压，V代表3.3V。

第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。

第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。

第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。

第7字段代表意义不详，一般为0。

第8字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

第10字段代表封装方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。

第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。

内存颗粒编号的识别之-金邦(GeIL)SDRAM内存
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第1字段代表产品系列，GL2000代表千禧条，BLP代表金条。

第2字段由GP组成，代表金邦产品。

第3字段代表产品类型，6代表SDRAM。

第4字段代表制造工艺，C代表5V Vcc CMOS；LC代表0.2微米3.3V Vdd CMOS；V代表2.5V Vdd CMOS。

第5字段代表容量，它与第7字段相乘就是总容量。

第6字段代表容量单位，空白代表Bits；K代表KB，M代表MB，G代表GB。

第7字段代表颗粒数量。

第8字段代表芯片修正版本。

第9字段代表封装方式，DJ代表SOJ；DW代表宽型SOJ；F代表54针4行FBGA；FB代表60针8*16 FBGA；FC代表60针11*13 FBGA；FP代表反转芯片封装；FQ代表反转芯片密封；F1代表62针2行FBGA；F2代表84针2行FBGA；LF代表90针FBGA；LG代表TQFP；R1代表62针2行微型FBGA；R2代表84针2行微型FBGA；TG代表TSOP Ⅱ，U代表μ BGA。

第10字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)。

第11字段由AMIR组成，代表内部标识号。

第12字段由四位数字组成，代表生产日期，前两个数字表示年份，如00表示2000年；后两个数字表示周数，如25表示第25周。

内存颗粒编号的识别之-美光(Micron)
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第1字段由MT组成，代表美光产品。

第2字段代表内存类型，48代表SDRAM。

第3字段代表内存种类，LC代表普通SDRAM。

第4字段代表密度，此数与M后位数相乘即为容量。

第5字段代表意义不详，一般为M。

第6字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。

第7字段代表类型，AX代表write Recovery(TWR)；A2代表2clk(TWR)。

第8字段代表封装方式，TG代表TSOP II(RPPmil)。

第9字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8A代表8ns(125MHz，读取周期为333)；8B代表8ns(125MHz，读取周期为323)；8C代表8ns(125MHz，读取周期为322)；8 D代表8ns(125MHz，读取周期为222)；8E代表8ns(125MHz，读取周期为222)；10代表10ns(100MHz@CL=3)。

第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

举例说明G 颗粒机器原配条(标识PC 66 64M),超频后表现良好,解析如下:

第1字段 GM 代表LGs

第2字段 72 代表SDRAM。

第3字段 V 代表3V。

第4字段 66 代表64M(4K刷新)。

第5字段 8    代表8位；

第6字段 4 代表4BANK；

第7字段 1    代表LVTTL

第8字段 C 代表第3版

第9字段空白代表普通功耗

第10字段 T 代表TSOP；

第11字段 7J    代表10ns(PC100@322)；

大家有其它更新请发上来！

作者: dv2d4admin 时间: 2006-6-16 12:00

不论是哪个牌子只要IBM原装内存基本上是100%没问题

其他内存有时候用半年才出现问题当然了是相对有概率并不是所有的都这样的

作者: leo_lance 时间: 2006-6-16 12:18

太感谢楼主了

作者: bg1bta 时间: 2006-6-16 12:36

ibm对选件的测试非常严格，所以才会有高昂的价格，不过买原装选件就是放心~

作者: xiagu 时间: 2006-6-16 12:55

还是原装的好啊,..............

2奶就是比正的差

作者: 温柔小贼船 时间: 2006-6-16 13:09

那么多啊~~~
可得好生看看~！

作者: UndyLiu 时间: 2006-6-16 14:02

得好好研究研究阿！！！！

作者: oldwan621 时间: 2006-6-16 14:09

涨知识

学习中

作者: Steven 时间: 2007-6-18 11:50

这么好的贴子居然没人顶？？？？

作者: 陈药师 时间: 2007-6-20 21:23

好帖!回去好好研究.

作者: aolra 时间: 2007-6-20 22:03

晕啊。那不是我把原装的换掉岂不可惜了。

作者: ivan8600 时间: 2007-6-20 23:37

WOW 这么多品牌,晕乎乎也~

作者: busygod 时间: 2007-6-21 18:52

顶了！;P ;P ;P

作者: yangyy 时间: 2007-6-22 01:28

还是保留原配的吧,支持个.

作者: mickeylm 时间: 2007-6-22 22:59

ding~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

作者: xiaoholy 时间: 2007-6-28 13:38

不知道，不是原庄可行？

作者: downclub 时间: 2007-7-7 23:32

好帖，一定要凸一下！

作者: snowwg 时间: 2007-8-13 15:56

每种机型用的内存也不一定是一样的吧

作者: wangxun62 时间: 2007-10-15 19:58

好帖，长见识了，谢谢LZ

作者: rezon 时间: 2007-10-28 19:20

受用了,呵呵

作者: ljljh007 时间: 2007-11-1 01:43

hai shi qu huan 2G de

作者: 51012064 时间: 2008-1-7 20:25

guan shui lai le

作者: llzbbs 时间: 2008-1-8 15:08

这个贴子不错.太清楚了.

作者: luo365664378 时间: 2008-1-18 15:14

这么好的贴子居然没人顶？？？？